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WSe2屬于二維過渡族金屬二硫化物（TMD）,具有高遷移率,以及良好的穩(wěn)定性。本文采用磁控濺射技術(shù)和硒化的方法生長了WSe2薄膜,并通過濕法轉(zhuǎn)移的方法構(gòu)建了WSe2/GaAs異質(zhì)結(jié)光電探測器。通過對WSe2薄膜成分和形貌的表征以及對器件電學(xué)性能參數(shù)的測試,結(jié)果表明,器件具有自驅(qū)動能力,在波長為808nm、強度為121mW/cm2的光照下,器件的開關(guān)比可達(dá)16.6×10～4,同時具有毫秒以下的響應(yīng)速度和持續(xù)穩(wěn)定工作的能力。